Herstellerteilenummer | IRFBG30 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRFBG30 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
IRFBG30 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1000V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 3.1A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 1.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 980pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 125W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFBG30 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRFBG30-FT |
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Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel