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Herstellerteilenummer | IRFH5207TR2PBF |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRFH5207TR2PBF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRFH5207TR2PBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 75V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 13A (Ta), 71A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6 mOhm @ 43A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 59nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2474pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.6W (Ta), 105W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
Paket / fall | 8-PowerVDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFH5207TR2PBF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRFH5207TR2PBF-FT |
IPW60R045CPAFKSA1
Infineon Technologies
IPW60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R099C7XKSA1
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IPW60R099CPAFKSA1
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IPW60R099P6XKSA1
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IPW60R120C7XKSA1
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IPW60R190P6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R230P6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R280P6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R330P6FKSA1
Infineon Technologies
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel