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Infineon Technologies IRFH5210TR2PBF

MFG-Teilenummer
IRFH5210TR2PBF
verfügbare Anzahl
69640 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
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Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
HEXFET® MOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IRFH5210TR2PBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer IRFH5210TR2PBF
Zukünftige Teilenummer FT-IRFH5210TR2PBF
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie HEXFET®
IRFH5210TR2PBF Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 10A (Ta), 55A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.9 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 59nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2570pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Paket / fall 8-PowerVDFN
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFH5210TR2PBF Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IRFH5210TR2PBF-FT

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