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Infineon Technologies IRFH5302DTR2PBF

Name: IRFH5302DTR2PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH5302DTR2PBF
Availability: InStock
Rating: 5.0 (246 reviews)

MFG-Teilenummer: IRFH5302DTR2PBF

verfügbare Anzahl: 11860 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRFH5302DTR2PBF.pdf

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IRFH5302DTR2PBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRFH5302DTR2PBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRFH5302DTR2PBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRFH5302DTR2PBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	29A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	55nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3635pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	3.6W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PQFN (5x6) Single Die
Paket / fall	8-PowerVDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFH5302DTR2PBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRFH5302DTR2PBF-FT

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