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Infineon Technologies IRFH7911TR2PBF
- MFG-Teilenummer
- IRFH7911TR2PBF
- verfügbare Anzahl
- 15440 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Infineon Technologies
- Kurze Beschreibung
- HEXFET® MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- IRFH7911TR2PBF.pdf
IRFH7911TR2PBF Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | IRFH7911TR2PBF |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-IRFH7911TR2PBF |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | HEXFET® |
| IRFH7911TR2PBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Obsolete |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 13A, 28A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6 mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1060pF @ 15V |
| Leistung max | 2.4W, 3.4W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / fall | 18-PowerVQFN |
| Supplier Device Package | PQFN (5x6) |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IRFH7911TR2PBF Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | IRFH7911TR2PBF-FT |
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