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Infineon Technologies IRFHM4226TRPBF

Name: IRFHM4226TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFHM4226TRPBF
Availability: InStock
Rating: 4.6 (162 reviews)

MFG-Teilenummer: IRFHM4226TRPBF

verfügbare Anzahl: 90820 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N CH 25V 28A PQFN

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRFHM4226TRPBF.pdf

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IRFHM4226TRPBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRFHM4226TRPBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRFHM4226TRPBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRFHM4226TRPBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	28A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	32nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 13V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.7W (Ta), 39W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	-
Paket / fall	8-TQFN Exposed Pad
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFHM4226TRPBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRFHM4226TRPBF-FT

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