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Infineon Technologies IRFHM830DTR2PBF

MFG-Teilenummer
IRFHM830DTR2PBF
verfügbare Anzahl
19370 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
HEXFET® MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
IRFHM830DTR2PBF.pdf
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IRFHM830DTR2PBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer IRFHM830DTR2PBF
Zukünftige Teilenummer FT-IRFHM830DTR2PBF
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie HEXFET®
IRFHM830DTR2PBF Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 20A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1797pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.8W (Ta), 37W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package PQFN (3x3)
Paket / fall 8-VQFN Exposed Pad
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFHM830DTR2PBF Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IRFHM830DTR2PBF-FT

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