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Infineon Technologies IRFHM830DTR2PBF

Name: IRFHM830DTR2PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFHM830DTR2PBF
Availability: InStock
Rating: 4.5 (250 reviews)

MFG-Teilenummer: IRFHM830DTR2PBF

verfügbare Anzahl: 19370 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 30V 20A PQFN

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRFHM830DTR2PBF.pdf

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IRFHM830DTR2PBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRFHM830DTR2PBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRFHM830DTR2PBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRFHM830DTR2PBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	20A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1797pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.8W (Ta), 37W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PQFN (3x3)
Paket / fall	8-VQFN Exposed Pad
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFHM830DTR2PBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRFHM830DTR2PBF-FT

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