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Herstellerteilenummer | IRFHM830DTRPBF |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRFHM830DTRPBF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRFHM830DTRPBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 20A (Ta), 40A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 50µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1797pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.8W (Ta), 37W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PQFN (3x3) |
Paket / fall | 8-VQFN Exposed Pad |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFHM830DTRPBF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRFHM830DTRPBF-FT |
IXFP14N85XM
IXYS
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IXFP14N85X
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A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
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Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
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