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Infineon Technologies IRFHS8242TR2PBF
- MFG-Teilenummer
- IRFHS8242TR2PBF
- verfügbare Anzahl
- 71520 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Infineon Technologies
- Kurze Beschreibung
- HEXFET® MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- IRFHS8242TR2PBF.pdf
IRFHS8242TR2PBF Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | IRFHS8242TR2PBF |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-IRFHS8242TR2PBF |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | HEXFET® |
| IRFHS8242TR2PBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 9.9A (Ta), 21A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 8.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 10.4nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 653pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.1W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 6-PQFN (2x2) |
| Paket / fall | 6-PowerVDFN |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IRFHS8242TR2PBF Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | IRFHS8242TR2PBF-FT |
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