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Infineon Technologies IRFHS8342TRPBF

Name: IRFHS8342TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFHS8342TRPBF
Price: 0.139808 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (363 reviews)

MFG-Teilenummer: IRFHS8342TRPBF

verfügbare Anzahl: 69290 Stücke

Referenzpreis: USD 0.139808

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRFHS8342TRPBF.pdf

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IRFHS8342TRPBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRFHS8342TRPBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRFHS8342TRPBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRFHS8342TRPBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	8.8A (Ta), 19A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	8.7nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.1W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TSDSON-6
Paket / fall	6-PowerVDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFHS8342TRPBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRFHS8342TRPBF-FT

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