Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IRFI3205PBF
Herstellerteilenummer | IRFI3205PBF |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRFI3205PBF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRFI3205PBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 64A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 34A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4000pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 63W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220AB Full-Pak |
Paket / fall | TO-220-3 Full Pack |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFI3205PBF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRFI3205PBF-FT |
IXTY2N80P
IXYS
IXTY2R4N50P
IXYS
IXTY3N50P
IXYS
IXTY3N60P
IXYS
IXTY4N60P
IXYS
IXTY50N085T
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IXYS
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NP15P04SLG-E1-AY
Renesas Electronics America
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Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
Microsemi Corporation
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EP4SE360H29I3
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LFXP2-30E-6FT256I
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EPF10K10LC84-4N
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