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Herstellerteilenummer | IRFL024NTR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRFL024NTR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRFL024NTR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 2.8A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 2.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 18.3nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | SOT-223 |
Paket / fall | TO-261-4, TO-261AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFL024NTR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRFL024NTR-FT |
ZXMN6A08E6TA
Diodes Incorporated
ZXMP10A17E6TA
Diodes Incorporated
DMN2100UDM-7
Diodes Incorporated
ZXMN10A08E6TC
Diodes Incorporated
ZXMP10A17E6QTA
Diodes Incorporated
DMP3056LDM-7
Diodes Incorporated
ZXMN10B08E6TA
Diodes Incorporated
DMG6402LDM-7
Diodes Incorporated
DMN3115UDM-7
Diodes Incorporated
DMN3051LDM-7
Diodes Incorporated
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel