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Infineon Technologies IRFP4229PBF

MFG-Teilenummer
IRFP4229PBF
verfügbare Anzahl
15050 Stücke
Referenzpreis
USD 3.824
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
HEXFET® MOSFET N-CH 250V 44A TO-247AC
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IRFP4229PBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer IRFP4229PBF
Zukünftige Teilenummer FT-IRFP4229PBF
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie HEXFET®
IRFP4229PBF Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 44A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46 mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4560pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 310W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-247AC
Paket / fall TO-247-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFP4229PBF Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IRFP4229PBF-FT

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