Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IRFP4368PBF
Herstellerteilenummer | IRFP4368PBF |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRFP4368PBF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRFP4368PBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 75V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 195A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.85 mOhm @ 195A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 570nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 19230pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 520W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247AC |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFP4368PBF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRFP4368PBF-FT |
SPI11N65C3HKSA1
Infineon Technologies
SPI11N65C3XKSA1
Infineon Technologies
SPI12N50C3HKSA1
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SPI20N60C3HKSA1
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LCMXO2-1200ZE-2TG144I
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XC3S1400AN-4FGG484C
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LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
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