Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IRFP4410ZPBF
Herstellerteilenummer | IRFP4410ZPBF |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRFP4410ZPBF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRFP4410ZPBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 97A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 58A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4820pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 230W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247AC |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFP4410ZPBF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRFP4410ZPBF-FT |
IPD60R800CEATMA1
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IPD70P04P4L08ATMA1
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IPD75N04S406ATMA1
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IPD90N04S4L04ATMA1
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IPD90N08S405ATMA1
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XC3S50A-4TQ144I
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M1A3P400-FGG256
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M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
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10M40SAE144I7G
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5SGXEBBR1H43C2LN
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5CGXFC9C6F23I7N
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EP20K200CB356C9
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EPF8820AQC208-4AA
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