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Infineon Technologies IRFP4668PBF

Name: IRFP4668PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFP4668PBF
Price: 6.496 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (484 reviews)

MFG-Teilenummer: IRFP4668PBF

verfügbare Anzahl: 74500 Stücke

Referenzpreis: USD 6.496

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 200V 130A TO-247AC

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRFP4668PBF.pdf

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IRFP4668PBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRFP4668PBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRFP4668PBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRFP4668PBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	130A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.7 mOhm @ 81A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	241nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	10720pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	520W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-247AC
Paket / fall	TO-247-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFP4668PBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRFP4668PBF-FT

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