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Infineon Technologies IRFP4668PBF
- MFG-Teilenummer
- IRFP4668PBF
- verfügbare Anzahl
- 74500 Stücke
- Referenzpreis
- USD 6.496
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Infineon Technologies
- Kurze Beschreibung
- HEXFET® MOSFET N-CH 200V 130A TO-247AC
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- IRFP4668PBF.pdf
IRFP4668PBF Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | IRFP4668PBF |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-IRFP4668PBF |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | HEXFET® |
| IRFP4668PBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 130A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.7 mOhm @ 81A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 241nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10720pF @ 50V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 520W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Paket / fall | TO-247-3 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IRFP4668PBF Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | IRFP4668PBF-FT |
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