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Infineon Technologies IRFR812PBF

Name: IRFR812PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFR812PBF
Availability: InStock
Rating: 4.7 (266 reviews)

MFG-Teilenummer: IRFR812PBF

verfügbare Anzahl: 11100 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRFR812PBF.pdf

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IRFR812PBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRFR812PBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRFR812PBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRFR812PBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Discontinued at Future Semiconductor
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	3.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	810pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	78W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D-Pak
Paket / fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFR812PBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRFR812PBF-FT

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