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Infineon Technologies IRFR9N20DTRR

MFG-Teilenummer
IRFR9N20DTRR
verfügbare Anzahl
78110 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
HEXFET® MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
IRFR9N20DTRR.pdf
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IRFR9N20DTRR Spezifikationen

Herstellerteilenummer IRFR9N20DTRR
Zukünftige Teilenummer FT-IRFR9N20DTRR
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie HEXFET®
IRFR9N20DTRR Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 9.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 560pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 86W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package D-Pak
Paket / fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFR9N20DTRR Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IRFR9N20DTRR-FT

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