Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IRFS23N15D
Herstellerteilenummer | IRFS23N15D |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRFS23N15D |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRFS23N15D Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 23A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.8W (Ta), 136W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D2PAK |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFS23N15D Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRFS23N15D-FT |
IRF3709ZSTRL
Infineon Technologies
IRF3709ZSTRLPBF
Infineon Technologies
IRF3709ZSTRR
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IRF3709ZSTRRPBF
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IRF3710SPBF
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IRF3710ZSTRRPBF
Infineon Technologies
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
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A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
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10AX016C3U19I2LG
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