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Infineon Technologies IRFS3206PBF

Name: IRFS3206PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFS3206PBF
Availability: InStock
Rating: 4.7 (334 reviews)

MFG-Teilenummer: IRFS3206PBF

verfügbare Anzahl: 97420 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRFS3206PBF.pdf

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IRFS3206PBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRFS3206PBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRFS3206PBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRFS3206PBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Discontinued at Future Semiconductor
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 150µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	170nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6540pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	300W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D2PAK
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFS3206PBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRFS3206PBF-FT

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