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Infineon Technologies IRFS4229PBF

Name: IRFS4229PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFS4229PBF
Availability: InStock
Rating: 4.9 (55 reviews)

MFG-Teilenummer: IRFS4229PBF

verfügbare Anzahl: 49250 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRFS4229PBF.pdf

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IRFS4229PBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRFS4229PBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRFS4229PBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRFS4229PBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Discontinued at Future Semiconductor
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	250V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	45A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	48 mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4560pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	330W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D2PAK
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFS4229PBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRFS4229PBF-FT

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