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Infineon Technologies IRFS4229TRLPBF

Name: IRFS4229TRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFS4229TRLPBF
Price: 2.207848 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (775 reviews)

MFG-Teilenummer: IRFS4229TRLPBF

verfügbare Anzahl: 33350 Stücke

Referenzpreis: USD 2.207848

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRFS4229TRLPBF.pdf

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IRFS4229TRLPBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRFS4229TRLPBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRFS4229TRLPBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRFS4229TRLPBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	250V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	45A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	48 mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4560pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	330W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D²PAK (TO-263AB)
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFS4229TRLPBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRFS4229TRLPBF-FT

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