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Infineon Technologies IRFSL17N20D

MFG-Teilenummer
IRFSL17N20D
verfügbare Anzahl
10760 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
HEXFET® MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IRFSL17N20D Spezifikationen

Herstellerteilenummer IRFSL17N20D
Zukünftige Teilenummer FT-IRFSL17N20D
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie HEXFET®
IRFSL17N20D Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 16A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 9.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-262
Paket / fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFSL17N20D Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IRFSL17N20D-FT

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