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Infineon Technologies IRFSL23N20D102P

Name: IRFSL23N20D102P
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFSL23N20D102P
Availability: InStock
Rating: 4.6 (561 reviews)

MFG-Teilenummer: IRFSL23N20D102P

verfügbare Anzahl: 90390 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 200V 24A TO-262

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRFSL23N20D102P.pdf

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IRFSL23N20D102P Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRFSL23N20D102P
Zukünftige Teilenummer	FT-IRFSL23N20D102P
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRFSL23N20D102P Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	24A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	86nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1960pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	3.8W (Ta), 170W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-262
Paket / fall	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFSL23N20D102P Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRFSL23N20D102P-FT

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