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Infineon Technologies IRFSL31N20D

Name: IRFSL31N20D
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFSL31N20D
Availability: InStock
Rating: 4.6 (173 reviews)

MFG-Teilenummer: IRFSL31N20D

verfügbare Anzahl: 12610 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 200V 31A TO-262

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRFSL31N20D.pdf

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IRFSL31N20D Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRFSL31N20D
Zukünftige Teilenummer	FT-IRFSL31N20D
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRFSL31N20D Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	31A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	82 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2370pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	3.1W (Ta), 200W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-262
Paket / fall	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFSL31N20D Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRFSL31N20D-FT

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