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Infineon Technologies IRFSL3206PBF

Name: IRFSL3206PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFSL3206PBF
Price: 1.22024 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (258 reviews)

MFG-Teilenummer: IRFSL3206PBF

verfügbare Anzahl: 73980 Stücke

Referenzpreis: USD 1.22024

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 60V 120A TO-262

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRFSL3206PBF.pdf

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IRFSL3206PBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRFSL3206PBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRFSL3206PBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRFSL3206PBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 150µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	170nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6540pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	300W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-262
Paket / fall	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFSL3206PBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRFSL3206PBF-FT

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