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Infineon Technologies IRFSL38N20DPBF

Name: IRFSL38N20DPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFSL38N20DPBF
Price: 2.03896 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (693 reviews)

MFG-Teilenummer: IRFSL38N20DPBF

verfügbare Anzahl: 88260 Stücke

Referenzpreis: USD 2.03896

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 200V 43A TO-262-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRFSL38N20DPBF.pdf

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IRFSL38N20DPBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRFSL38N20DPBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRFSL38N20DPBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRFSL38N20DPBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	43A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	54 mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	91nC @ 10V
Vgs (Max)	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2900pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	-
Betriebstemperatur	-
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-262
Paket / fall	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFSL38N20DPBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRFSL38N20DPBF-FT

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