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Infineon Technologies IRFSL4510PBF

Name: IRFSL4510PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFSL4510PBF
Price: 0.892504 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (779 reviews)

MFG-Teilenummer: IRFSL4510PBF

verfügbare Anzahl: 84090 Stücke

Referenzpreis: USD 0.892504

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 100V 61A TO262

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRFSL4510PBF.pdf

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IRFSL4510PBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRFSL4510PBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRFSL4510PBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRFSL4510PBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	61A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.9 mOhm @ 37A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	87nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3180pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	140W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-262
Paket / fall	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFSL4510PBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRFSL4510PBF-FT

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