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Infineon Technologies IRFSL59N10D

Name: IRFSL59N10D
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFSL59N10D
Availability: InStock
Rating: 4.8 (534 reviews)

MFG-Teilenummer: IRFSL59N10D

verfügbare Anzahl: 83140 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 100V 59A TO-262

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRFSL59N10D.pdf

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IRFSL59N10D Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRFSL59N10D
Zukünftige Teilenummer	FT-IRFSL59N10D
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRFSL59N10D Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	59A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 35.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	114nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2450pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	3.8W (Ta), 200W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-262
Paket / fall	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFSL59N10D Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRFSL59N10D-FT

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