Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Single / IRG4BC10SD-S
Herstellerteilenummer | IRG4BC10SD-S |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRG4BC10SD-S |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
IRG4BC10SD-S Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
IGBT-Typ | - |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 600V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 14A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 18A |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 8A |
Leistung max | 38W |
Energie wechseln | 310µJ (on), 3.28mJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 15nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 76ns/815ns |
Testbedingung | 480V, 8A, 100 Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | 28ns |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | D2PAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRG4BC10SD-S Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRG4BC10SD-S-FT |
IKP08N65H5XKSA1
Infineon Technologies
NGTB10N60FG
ON Semiconductor
NGTB15N60R2FG
ON Semiconductor
IKA15N60TXKSA1
Infineon Technologies
IKP08N65F5XKSA1
Infineon Technologies
IRG4IBC20FDPBF
Infineon Technologies
IRG4IBC20KDPBF
Infineon Technologies
RJH60M1DPP-M0#T2
Renesas Electronics America
RJP60D0DPP-M0#T2
Renesas Electronics America
IKA06N60TXKSA1
Infineon Technologies
XC3S700A-5FGG400C
Xilinx Inc.
AFS1500-1FGG484K
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-PQG208
Microsemi Corporation
LFE5U-85F-8BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S60F672C5N
Intel
5SGXMA5K2F35I3LN
Intel
5SGXMA4H2F35I2LN
Intel
M1AGL1000V5-CS281I
Microsemi Corporation
A42MX09-PQG100M
Microsemi Corporation