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Herstellerteilenummer | IRKJ236/12 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRKJ236/12 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
IRKJ236/12 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 230A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 20mA @ 1200V |
Betriebstemperatur - Übergang | - |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | INT-A-PAK (3) |
Supplier Device Package | Module |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRKJ236/12 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRKJ236/12-FT |
HTZ160C12K
IXYS
HTZ160C14K
IXYS
HTZ160C17K
IXYS
HTZ160C19K
IXYS
HTZ170C2.4K
IXYS
HTZ170C2.8K
IXYS
HTZ170C2K
IXYS
HTZ180D22K
IXYS
HTZ180D26K
IXYS
HTZ180D30K
IXYS
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG256
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2L
Intel
5AGXMA5D4F27I3N
Intel
5SGXMA7H3F35C4
Intel
EP3SL340H1152I4
Intel
LFE3-95EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153C8G
Intel