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Herstellerteilenummer | IRL100HS121 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRL100HS121 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
IRL100HS121 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 11A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 6.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 10µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 11.5W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 6-PQFN (2x2) |
Paket / fall | 6-VDFN Exposed Pad |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRL100HS121 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRL100HS121-FT |
IXTQ48N20T
IXYS
IXTQ54N30T
IXYS
IXTQ56N15T
IXYS
IXTQ60N30T
IXYS
IXTQ62N25T
IXYS
IXTQ72N20T
IXYS
IXTQ72N30T
IXYS
IXTQ74N15T
IXYS
IXTQ76N25T
IXYS
IXTQ80N28T
IXYS
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel