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Infineon Technologies IRL2910STRRPBF

MFG-Teilenummer
IRL2910STRRPBF
verfügbare Anzahl
96200 Stücke
Referenzpreis
USD 1.386
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
HEXFET® MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IRL2910STRRPBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer IRL2910STRRPBF
Zukünftige Teilenummer FT-IRL2910STRRPBF
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie HEXFET®
IRL2910STRRPBF Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 55A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 5V
Vgs (Max) -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3700pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package D2PAK
Paket / fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRL2910STRRPBF Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IRL2910STRRPBF-FT

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