Herstellerteilenummer | IRL3502 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRL3502 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRL3502 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 110A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 7V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 64A, 7V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4700pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 140W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRL3502 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRL3502-FT |
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A1020B-2PQ100C
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XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
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EP3CLS70U484I7
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5SGSED6K2F40C3N
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LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
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