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Infineon Technologies IRL60B216

MFG-Teilenummer
IRL60B216
verfügbare Anzahl
18800 Stücke
Referenzpreis
USD 3.512
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
HEXFET®, StrongIRFET™ MOSFET N-CH 60V 195A
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IRL60B216 Spezifikationen

Herstellerteilenummer IRL60B216
Zukünftige Teilenummer FT-IRL60B216
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie HEXFET®, StrongIRFET™
IRL60B216 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 195A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 258nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15570pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 375W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-220AB
Paket / fall TO-220-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRL60B216 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IRL60B216-FT

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