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Infineon Technologies IRL6372PBF

Name: IRL6372PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRL6372PBF
Availability: InStock
Rating: 4.9 (283 reviews)

MFG-Teilenummer: IRL6372PBF

verfügbare Anzahl: 34510 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRL6372PBF.pdf

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IRL6372PBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRL6372PBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRL6372PBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRL6372PBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Discontinued at Future Semiconductor
FET-Typ	2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	8.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.9 mOhm @ 8.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 10µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1020pF @ 25V
Leistung max	2W
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package	8-SO
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRL6372PBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRL6372PBF-FT

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