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IRL8114PBF Image

Infineon Technologies IRL8114PBF

MFG-Teilenummer
IRL8114PBF
verfügbare Anzahl
89460 Stücke
Referenzpreis
USD 1.021752
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
HEXFET® MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
IRL8114PBF.pdf
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IRL8114PBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer IRL8114PBF
Zukünftige Teilenummer FT-IRL8114PBF
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie HEXFET®
IRL8114PBF Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2660pF @ 15V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 115W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-220AB
Paket / fall TO-220-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRL8114PBF Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IRL8114PBF-FT

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