Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IRL8114PBF
Herstellerteilenummer | IRL8114PBF |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IRL8114PBF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRL8114PBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 90A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2660pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 115W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRL8114PBF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRL8114PBF-FT |
IRF3707PBF
Infineon Technologies
IRF3707Z
Infineon Technologies
IRF3707ZPBF
Infineon Technologies
IRF3708
Infineon Technologies
IRF3709
Infineon Technologies
IRF3710ZGPBF
Infineon Technologies
IRF3711
Infineon Technologies
IRF3711PBF
Infineon Technologies
IRF3711Z
Infineon Technologies
IRF3711ZPBF
Infineon Technologies