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Infineon Technologies IRLH5030TR2PBF
- MFG-Teilenummer
- IRLH5030TR2PBF
- verfügbare Anzahl
- 67200 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Infineon Technologies
- Kurze Beschreibung
- HEXFET® MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- IRLH5030TR2PBF.pdf
IRLH5030TR2PBF Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | IRLH5030TR2PBF |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-IRLH5030TR2PBF |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | HEXFET® |
| IRLH5030TR2PBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 13A (Ta), 100A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 150µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 94nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5185pF @ 50V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3.6W (Ta), 156W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PQFN (5x6) Single Die |
| Paket / fall | 8-PowerVDFN |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IRLH5030TR2PBF Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | IRLH5030TR2PBF-FT |
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