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Infineon Technologies IRLHS6376TR2PBF
- MFG-Teilenummer
- IRLHS6376TR2PBF
- verfügbare Anzahl
- 81510 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Infineon Technologies
- Kurze Beschreibung
- HEXFET® MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- IRLHS6376TR2PBF.pdf
IRLHS6376TR2PBF Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | IRLHS6376TR2PBF |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-IRLHS6376TR2PBF |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | HEXFET® |
| IRLHS6376TR2PBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Obsolete |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 3.6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 63 mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 10µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 270pF @ 25V |
| Leistung max | 1.5W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / fall | 6-VDFN Exposed Pad |
| Supplier Device Package | 6-PQFN (2x2) |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IRLHS6376TR2PBF Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | IRLHS6376TR2PBF-FT |
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