Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IRLML6402GTRPBF
Herstellerteilenummer | IRLML6402GTRPBF |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IRLML6402GTRPBF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRLML6402GTRPBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 3.7A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 3.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 633pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.3W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | Micro3™/SOT-23 |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLML6402GTRPBF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRLML6402GTRPBF-FT |
IXTQ160N075T
IXYS
IXTQ160N085T
IXYS
IXTQ160N10T
IXYS
IXTQ16N50P
IXYS
IXTQ180N055T
IXYS
IXTQ180N085T
IXYS
IXTQ182N055T
IXYS
IXTQ200N06P
IXYS
IXTQ200N075T
IXYS
IXTQ200N085T
IXYS