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Infineon Technologies IRLR3410PBF

MFG-Teilenummer
IRLR3410PBF
verfügbare Anzahl
84420 Stücke
Referenzpreis
USD 0.968
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
HEXFET® MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IRLR3410PBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer IRLR3410PBF
Zukünftige Teilenummer FT-IRLR3410PBF
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie HEXFET®
IRLR3410PBF Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Discontinued at Future Semiconductor
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 17A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 5V
Vgs (Max) ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 79W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package D-Pak
Paket / fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLR3410PBF Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IRLR3410PBF-FT

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