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Infineon Technologies IRLR3636PBF

Name: IRLR3636PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLR3636PBF
Availability: InStock
Rating: 4.8 (360 reviews)

MFG-Teilenummer: IRLR3636PBF

verfügbare Anzahl: 55910 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRLR3636PBF.pdf

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IRLR3636PBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRLR3636PBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRLR3636PBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRLR3636PBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Discontinued at Future Semiconductor
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	49nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3779pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	143W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D-Pak
Paket / fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLR3636PBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRLR3636PBF-FT

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