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Infineon Technologies IRLR3717PBF

Name: IRLR3717PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLR3717PBF
Availability: InStock
Rating: 4.6 (23 reviews)

MFG-Teilenummer: IRLR3717PBF

verfügbare Anzahl: 24860 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 20V 120A DPAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRLR3717PBF.pdf

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IRLR3717PBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRLR3717PBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRLR3717PBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRLR3717PBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Discontinued at Future Semiconductor
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.45V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2830pF @ 10V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	89W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D-Pak
Paket / fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLR3717PBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRLR3717PBF-FT

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