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Infineon Technologies IRLR8503PBF

MFG-Teilenummer
IRLR8503PBF
verfügbare Anzahl
52850 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
HEXFET® MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IRLR8503PBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer IRLR8503PBF
Zukünftige Teilenummer FT-IRLR8503PBF
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie HEXFET®
IRLR8503PBF Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 44A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1650pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 62W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package D-Pak
Paket / fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLR8503PBF Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IRLR8503PBF-FT

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