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Infineon Technologies IRLS4030PBF

Name: IRLS4030PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLS4030PBF
Availability: InStock
Rating: 5.0 (71 reviews)

MFG-Teilenummer: IRLS4030PBF

verfügbare Anzahl: 14900 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRLS4030PBF.pdf

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IRLS4030PBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRLS4030PBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRLS4030PBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRLS4030PBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Discontinued at Future Semiconductor
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.3 mOhm @ 110A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	130nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	11360pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	370W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D2PAK
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLS4030PBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRLS4030PBF-FT

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