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IRLW610ATM Image

ON Semiconductor IRLW610ATM

MFG-Teilenummer
IRLW610ATM
verfügbare Anzahl
87060 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
IRLW610ATM.pdf
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IRLW610ATM Spezifikationen

Herstellerteilenummer IRLW610ATM
Zukünftige Teilenummer FT-IRLW610ATM
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
IRLW610ATM Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 3.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 1.65A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 240pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package I2PAK (TO-262)
Paket / fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLW610ATM Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IRLW610ATM-FT

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