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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400C-3DBLI
- MFG-Teilenummer
- IS43DR86400C-3DBLI
- verfügbare Anzahl
- 84620 Stücke
- Referenzpreis
- USD 5.60684
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Kurze Beschreibung
- - IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Erinnerung
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- IS43DR86400C-3DBLI.pdf
IS43DR86400C-3DBLI Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | IS43DR86400C-3DBLI |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-IS43DR86400C-3DBLI |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| IS43DR86400C-3DBLI Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR2 |
| Speichergröße | 512Mb (64M x 8) |
| Taktfrequenz | 333MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
| Zugriffszeit | 450ps |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / fall | 60-TFBGA |
| Supplier Device Package | 60-TWBGA (8x10.5) |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IS43DR86400C-3DBLI Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | IS43DR86400C-3DBLI-FT |
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