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Herstellerteilenummer | ISC1210BN47NM |
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Zukünftige Teilenummer | FT-ISC1210BN47NM |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | ISC-1210 |
ISC1210BN47NM Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Non-Magnetic |
Induktivität | 47nH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 495mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 260 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 50MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 1GHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 50MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 1210 (3225 Metric) |
Supplier Device Package | 1210 |
Größe / Abmessung | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.095" (2.41mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210BN47NM Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | ISC1210BN47NM-FT |
74478222
Wurth Electronics Inc.
74478227
Wurth Electronics Inc.
74478233
Wurth Electronics Inc.
744900010
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744900012
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744900013
Wurth Electronics Inc.
744900014
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Wurth Electronics Inc.
744900019
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A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel