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Herstellerteilenummer | ISC1210EB1R8K |
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Zukünftige Teilenummer | FT-ISC1210EB1R8K |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | ISC-1210 |
ISC1210EB1R8K Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Iron Powder |
Induktivität | 1.8µH |
Toleranz | ±10% |
Aktuelle Bewertung | 350mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 850 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 85MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.96MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 1210 (3225 Metric) |
Supplier Device Package | 1210 |
Größe / Abmessung | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.095" (2.41mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210EB1R8K Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | ISC1210EB1R8K-FT |
ISC1210BN180K
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ISC1210BN1R2K
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ISC1210BN1R5J
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ISC1210BN1R5K
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ISC1210BN1R8J
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ISC1210BN1R8K
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XC6SLX9-2FT256C
Xilinx Inc.
AX500-FGG484
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FG484I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F40I3LN
Intel
10CL025YE144C6G
Intel
XC6VLX75T-L1FF784I
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FBG900C
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100
Microsemi Corporation
A40MX04-3PLG84
Microsemi Corporation
LFEC3E-3FN256C
Lattice Semiconductor Corporation