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Herstellerteilenummer | ISC1210EB22NM |
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Zukünftige Teilenummer | FT-ISC1210EB22NM |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | ISC-1210 |
ISC1210EB22NM Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Non-Magnetic |
Induktivität | 22nH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 640mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 150 mOhm Max |
Q @ Freq | 45 @ 50MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 1GHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 50MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 1210 (3225 Metric) |
Supplier Device Package | 1210 |
Größe / Abmessung | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.095" (2.41mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210EB22NM Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | ISC1210EB22NM-FT |
ISC1210BN1R2J
Vishay Dale
ISC1210BN1R2K
Vishay Dale
ISC1210BN1R5J
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ISC1210BN1R5K
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ISC1210BN1R8J
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ISC1210BN1R8K
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ISC1210BN220J
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ISC1210BN220K
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ISC1210BN22NK
Vishay Dale
ISC1210BN270K
Vishay Dale
XC2VP30-6FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
A3PN125-1VQ100I
Microsemi Corporation
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2LG
Intel
5AGXBA5D4F35I5N
Intel
EP2S180F1508C4N
Intel
EPF81188AQC240-4
Intel